具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的EUV光刻膠的成功研發(fā),填補(bǔ)了我國(guó)在超高精細(xì)光刻膠研發(fā)領(lǐng)域的空白,將為擺脫國(guó)內(nèi)高檔光刻膠材料完全依賴進(jìn)口的格局,促進(jìn)我國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展起到積極的促進(jìn)作用。在此工作的基礎(chǔ)上,以獲得的光刻膠主體材料為核心,通過(guò)配方和工藝研發(fā),實(shí)現(xiàn)了193nm曝光機(jī)光刻,為我國(guó)開(kāi)展193nm和193nm浸沒(méi)式光刻膠的研發(fā)打下了基礎(chǔ)。
具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的EUV光刻膠的成功研發(fā),填補(bǔ)了我國(guó)在超高精細(xì)光刻膠研發(fā)領(lǐng)域的空白,將為擺脫國(guó)內(nèi)高檔光刻膠材料完全依賴進(jìn)口的格局,促進(jìn)我國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展起到積極的促進(jìn)作用。在此工作的基礎(chǔ)上,以獲得的光刻膠主體材料為核心,通過(guò)配方和工藝研發(fā),實(shí)現(xiàn)了193nm曝光機(jī)光刻,為我國(guó)開(kāi)展193nm和193nm浸沒(méi)式光刻膠的研發(fā)打下了基礎(chǔ)。